发布时间:2015.11.05

比利时鲁汶大学

11月3日,世界著名模拟电路设计大师、比利时鲁汶大学教授Willy Sansen应邀来到我院,为师生们带来题目为“Anolog IC Design in Future Nanometer CMOS Technologies”(未来纳米CMOS工艺下的模拟集成电路设计)的精彩学术报告。

Willy Sansen教授是IEEE Solid-State Circuits Society(IEEE固态电路协会)的前主席,担任过集成电路设计领域最顶级会议International Solid-State Circuits Conference(国际固态电路会议)的程序委员会主席。2011年,Willy Sansen教授由于在固态电路领域做的突出贡献,被IEEE Solid-State Circuits Society授予Donald O. Pederson奖。Donald O. Pederson奖每年由IEEE固态电路协会颁发给“对固态电路领域有突出贡献”的人。同时,他还是IEEE的Life Fellow。

Willy Sansen教授在报告中主要针对当下IC设计的热点问题展开由浅入深的讲解,并深入比较了FinFET、FD-SOI和Si三种器件在模拟IC中的优缺点,以及未来CMOS工艺发展到7nm工艺节点以下模拟集成电路设计面临的模型和设计问题。最后,Sansen教授还针对模拟IC在当前深亚微米极小尺寸下的设计思想进行了总结。

Willy Sansen教授的讲座吸引了众多深圳大学城的师生,其中包括多位来自我院和北大深研院的老师。在提问阶段,同学们踊跃提问,Sansen教授耐心细致地回答了同学们提出的各类问题,包括如何成为一名优秀的模拟IC设计者、如何发现IC设计的乐趣等。报告结束之后,同学们纷纷与Sansen讲授合影留念,并表示能够在深研院看到Willy Sansen教授这样的“学术大牛”确实是一次难能可贵的机会。(陆天翼)

 

图为Willy Sansen教授学术报告现场

 

图为Willy Sansen教授回答同学们的提问

 

图为Willy Sansen教授与深研院师生的合影