原位X射线光电子能谱仪（PHI5000VersaProbeII）

性能指标及功能：

主要功能

该设备不仅能够满足材料及器件表面成份和价态定性、定量分析，获得材料表面/界面元素成像、价态成像，满足集成电路损伤探测与分析，而且它还能够实现对材料及器件进行深度剖析、能级结构确定、高低温原位测试、准原位化学反应分析测试，能够满足包括绝缘体、退磁样品、多层膜结构材料在内的各类样品成份、价态、能级测定需要。

技术参数

1、X射线源：单色化Al Kα射线源，可实现样品表面聚焦及扫描（10μm~200μ×200μm）；

2、测试：可实现低工作功率（1~100W）、小角度（分辨率≤±1°）、温度可调控（-120℃~500℃）原位测试；

3、Ar离子枪+Ar团簇离子枪：满足金属、陶瓷、有机聚合物、复合材料、半导体材料及器件等样品表面刻蚀、深度剖析；

4、紫外光源UPS：价带、功函数测试（标样优于100 meV）；

5、双束中和系统：独立调节电子束（低至1~2eV）和离子束，高质量获谱（PET中O=C-O中C1s  FWHM ≤ 0.85eV）；

6、Al/Mg双阳极可满足准确的峰位信息辨别需求；

主要功能

主要特点：

微聚焦的扫描X射线束可应对从微区到大面积的分析需求,溅射深度剖析,可分析膜层结构和成分深度变化。多种技术联用的超高真空分析腔室。配备真空转移装置，可在不接触空气的环境中更换样品。