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含有量子阱的外延片、蓝绿双色 Micro-LED 阵列芯片及制备方法 原创

发布时间:2024-09-12


专利示意图

一、技术领域

半导体技术领域


二、专利介绍

1.专利信息

专利类型:发明

专利权人:清华大学深圳国际研究生院

申请号:202311374765.7

发明人:苏萍、张纯、马建设

2.专利说明书摘要

一种含有量子阱的外延片、蓝绿双色Micro-LED阵列芯片及其制备方法。该外延片,包括:由下至上依次设置的蓝宝石衬底、第一掺杂层、蓝光多量子阱层、第二掺杂层、第三掺杂层、绿光多量子阱层和第四掺杂层;所述第一掺杂层、蓝光多量子阱层、第二掺杂层、第三掺杂层、绿光多量子阱层和第四掺杂层设置在岛状结构之上。本发明中设计的单基板蓝绿双色Micro-LED阵列可以实现子像素分别发出蓝光和绿光,在单个晶圆上实现多色Micro-LED阵列的生长与制备,能够解决巨量转移中随着Micro-LED芯片尺寸缩小带来的转移、接合技术成本和难度增加的问题。同时,在单个晶圆上实现多色Micro-LED阵列的生长与制备,可极大提高Micro-LED显示器的像素密度,实现超高解析度。

3.创新点

(1)本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种含有蓝光和绿光双色多量子阱的外延片、单晶衬底蓝光和绿光双色Micro-LED阵列芯片及其制备方法。以此外延片为组件制得的Micro-LED阵列芯片,可以实现将更多的像素集成在同一块芯片上并且可实现蓝光Micro-LED芯片和绿光Micro-LED芯片生长在同一块芯片上。每个像素可以做到几十微米甚至更小,大大提升了Micro-LED显示的分辨率。改进的量子阱结构可提高Micro-LED发光效率和发光波长的色纯度;

(2)由于Micro-LED阵列是通过微纳工艺和新型半导体工艺在同一芯片上加工集成的,因此相比巨量转移后的Micro-LED显示器件就有更高的一致性、紧凑性以及更短的制备周期与成品可靠性。

4.痛点问题

本发明提供了一种含有蓝光和绿光量子阱的外延片、单晶衬底GaN基蓝光与绿光双色Micro-Led阵列芯片及其制备方法。该制备方法可以生长出含有三角形能级结构的量子阱,相比与常规结构的量子阱其具有更高Mciro-LED的量子效率、发光功率、发光主波长稳定性和色纯度。此Micro-LED阵列可以发出蓝光和绿光两种波长的光,且阵列结构的Micro-LED显示芯片也具有更好的光电、波长以及亮度一致性。

5.技术优势

(1)本发明通过控制量子阱生长温度制备了三角形能级量子阱。由于In含量渐进使得量子阱壁变得平缓,减少了相邻薄层的晶格失配率骤降,缓解了内部极化电场,使得阱内电子与空穴的复合几率增加,从而增加了Micro-LED的内量子效率。同时,因为三角形能级量子阱的阱底部分的能级形成极小值,束缚了发生辐射复合的载流子,产生的蓝光和绿光具有更强的波长稳定度和色纯度;

(2)本发明中设计的单基板蓝绿双色GaN基Micro-LED阵列可以实现子像素分别发出蓝光和绿光,在单个晶圆上实现多色Micro-LED阵列的生长与制备,能够解决巨量转移中随着Micro-LED芯片尺寸缩小带来的转移、接合技术成本和难度增加的问题。同时,在单个晶圆上实现多色Micro-LED阵列的生长与制备,可极大提高micro-LED显示器的像素密度(PPI),实现超高解析度;

(3)由于Micro-LED阵列是通过微纳工艺和新型半导体工艺在同一芯片上加工集成的,因此相比巨量转移后的Micro-LED显示器件就有更高的一致性、紧凑性以及更短的制备周期与成品可靠性。


三、产业化信息

1.应用场景

可以有效提高Micro-LED阵列芯片的内量子效率,可以提供给科研院所、研发机构,商业公司等科研项目,例如:

(1)AR/VR的理想显示技术;

(2)显微成像;

(3)神经光敏控制;

(4)生物检测;

(5)可见光通信。

2.商业价值

此项技术拥有巨大的商业前景,对于图像显示行业、Micro-LED制备行业有以下市场价值:

(1)本发明可以应用于AR/VR的理想显示,具有高对比度、高响应速度、宽色域以及低功耗和长寿命等优点;

(2)在单个晶圆上实现多色Micro-LED阵列的生长与制备,能够解决巨量转移中随着Micro-LED芯片尺寸缩小带来的转移、接合技术成本和难度增加的问题。同时,在单个晶圆上实现多色Micro-LED阵列的生长与制备,可极大提高micro-LED显示器的像素密度(PPI),实现超高解析度;

(3)本技术具有高性能显示和高集成化等独特优势,在某些领域不可替代。

3.发展规划

该技术未来可应用于AR/VR的理想显示领域,具有高对比度、高响应速度、宽色域以及低功耗和长寿命等优点。同时在神经光敏控制、显微成像、柔性显示器背光、生物检测,耳蜗植入物和可见光通信中也具有巨大的潜力。能够提高我国在Micro-LED制备等领域的水平。

4.合作方式

面议



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